微信公众号：芯片之家（ID：chiphome-dy）
(资料图片)
在实际电子设计中，防反接保护电路非常重要，不要觉得自己肯定不会接错，实际上无论多么小心，还是会犯错误......
上面介绍了利用二极管防反接的办法，但是压降是痛点，那么有没有什么办法可以去掉这个压降呢，PMOS来了！
我们知道，PMOS在完全导通后，导通电阻是很小的，常规的几百毫欧，有一些几十毫欧， 我们这里在GS之间加了一个齐纳二极管防止输入电压超过MOS的Vgs，Vgs额定值为20V，我们这里一般用10V的就能满足了，具体根据MOS的实际特性进行齐纳二极管的选择。
原理分析：当输入端加正向电压之后，比如+5V，D端电压为5V，由于MOS管体二极管的存在，S端的电压为4.3V，S端电压减G端电压大于开启电压，PMOS导通后，寄生二极管短路，不再起作用； 电压反接后，G端电压大于S端电压，不导通，实现了防反接的功能。
详细的分析可以参考这篇文章：USB外接电源与锂电池自动切换电路设计，你GET到精髓了吗？
电路倒是简洁，但这个电路有个问题，电路会倒流。假设右侧的负载是一个电池，电压为Vb，当直流输入突然断开时，Q1的Vgs满足MOS的导通条件，PMOS就会导通，电流从右侧往左侧倒流，就可能引发一些未知的故障。
虽然二极管没有反向电流（严格意义上有漏电流），但是这个有反向电流，如果负载有大容量电容或者是电池， 输入端关闭时，电流会从右往左从负载端流出。当然，简单的电路场合用这个电路也没问题。
3、直流浪涌电流抑制开关此电路可以解决负载中有大容量电容，电源端出现巨大浪涌电流的问题，启动时缓慢升高电压以抑制上电时的浪涌电流。
电压升高的时间由图中的C1与R6决定，值增大，缓启动的时间变长，当然，也可以按照第二点的方法，在GS间加入齐纳二极管。
详细分析，请参考下面文章。
精准电流走向分析，带软开启功能的MOS管电源开关电路！
如果不需要开关，可以去掉三极管部分即可，只做缓启动功能。
像第二点中的防反接保护电路中说了，会有出现倒流的风险，特别是负载端是电池或者有大容量电容时，或者是电脑的USB给一些调试的同时外部还有电源，则会流向Vin测， 进而可能引发一系列的故障，那我们有没有办法防止倒灌呢？
我们看上面这个电路，比上面的电路多了一个MOS，两个MOS背靠背连接起来，当Control端ON/OFF为高电平时，三极管Q9线导通，Q3跟Q4的栅极都被拉低到0V，Q3通过体二极管，符合条件先导通，接着Q4，S端电压大于G端电压，也符合导通条件，导通，负载端得到Vin电压。
当Control端为低电平时，三极管Q9断开，Q3与Q4不导通，完全关断，并且Q3与Q4的体二极管是反向串联的，所以不论哪个方向，都是不通的，达到防倒灌的效果。
这个电路的缺点就是还需要一个IO来控制，略显麻烦。 5、双三极管镜像电路防倒灌（理想二极管）电路仿真结果：
看着像镜像，其实又不是，这个电路是怎么工作的？左侧Q6三极管，Vb = Vin - 0.65，右侧Q7三极管是否导通，由Vb与Vout决定，Vb > Vout - 0.65，Q7关闭。
上述关系演变成，Vin - 0.65 > Vout - 0.65，则晶体管 Q7 关闭；
如果 Vin > Vout，晶体管 Q7 截止；
当Vin输入一定电压，Q6饱和导通，Q7截止；MOS管栅极通过电阻接地，导通；
如果Vin被突然关闭，Vb不再受制于输入电压，此时，Vb = Vout -0.65，Q7导通，MOS管G端电压拉高，MOS管关闭，达到防止回流的效果。
Vin > Vout，MOS打开，Vout≈Vin，理想二极管；
Vin < Vout，MOS关闭，防止回流。
该电路的优点，防反接，输出基本不损失电压，不需要额外控制信号，可以防止电流回流。
该电路在Seeed Studio的板子上得到了应用，大家可以看一下，完整原理图有兴趣的可以找老宇哥拿。
以上电路有什么Bug，请大家留言区留言评论交流！ 电路一共准备了20个左右，篇幅问题今天就先介绍这么多，剩下的电路下期再讲，请大家转发点赞评论三连支持老宇哥，您的转发点赞就是我继续创作的最佳动力！ 关于电路的学习，希望大家Enjoy!往期推荐
电机驱动板发烫严重怎么办？一份大厂PCB布局指南参考
电池容量怎么算？一文彻底搞懂电池电量监测技术
美图分享，电路板上的搬砖工
经典的验电笔内部电路分析
热门
联系我们:435 226 40 @qq.com
版权所有 重播新闻网 www.zhongboxinwen.com 京ICP备2022022245号-17
